Park NX-Wafer是半导体行业领先的自动化AFM系统。它提供全面的晶圆厂检查、缺陷检查和CMP剖析。Park NX-Wafer拥有最高的纳米级表面分辨率、一致的亚埃高度精度和优异的尖端锐度，变化极小。其自动尖端更换、实时监控、无标记目标定位和自动分析等功能，使其成为半导体晶圆应用的顶级工具。
Park NX-Wafer是业界前沿的半导体及相关制造业自动化AFM计量系统。该系统能提供晶圆制造厂检查和分析、裸晶圆和衬底的自动缺陷检测以及CMP轮廓测量。Park NX-Wafer具有较高的纳米级表面分辨率和亚埃级的高精度。在持续扫描后，探针针尖的变化可以忽略不计，仍具有出众的针尖锐度保护力。 Park NX-Wafer以其专有的自动系统功能而崭露头角，成为目前业界引领的半导体AFM工具。该自动系统包括自动探针更换、实时监控、无参考标记的目标定位和自动分析。
新的300mm光片ADR提供了从缺陷映射的坐标转换和校正到缺陷的测量和放大扫描成像的全自动缺陷复查过程，该过程不需要样品晶片上的任何参考标记，是重映射过程。与扫描电子显微镜（SEM）运行后在缺陷部位留下方形的破坏性辐照痕迹不同，新的帕克 ADR AFM能够实现坐标转换和更强的视觉，利用晶圆边缘和缺口来自动实现缺陷检查设备和AFM之间的连接。由于它是完全自动化的，因此不需要任何单独的步骤来校准目标缺陷检查系统的移动平台，从而将吞吐量增加到1000%。
半导体供应商正在开发平坦晶圆，以解决不断缩小元件尺寸的需求。然而，从来没有一个计量工具能够给这些拥有亚埃级粗糙度的衬底表面提供准确和可靠的测量。通过在整个晶圆区域提供低于0.5A的业界低噪声下限，并将其与真正非接触模式相结合，Park NX-Wafer可以对平坦的基底和晶圆进行精准、可重复和可再现的亚埃级粗糙度测量，并精准控制针尖的变量。即使对于扫描尺寸达到100μm×100μm的远距离波度，也能够获得非常准确和可重复的表面测量。
平坦化是在使用金属和介电材料的后段工艺中特别重要的步骤。化学机械抛光（CMP）后的局部和全局均匀性对芯片制造的产量有很大的影响。精准的CMP轮廓扫描是优化工艺条件、获得高平坦度以及提高生产率的关键计量。 结合Park NX-Wafer的滑动平台，为CMP计量提供了远程轮廓分析能力。由于Park自动化原子力显微镜专有的平台设计，组合系统提供非常平坦的轮廓扫描，并且一般在每次测量之后不需要复杂的背景去除或前处理。Park NX-Wafer实现了高精度CMP测量，包括凹陷、侵蚀和边缘过度侵蚀（EOE）的局部和全局的平坦度测量。
ATX通过模式识别自动定位针尖，并使用新型磁性方法取下用过的针尖并拾取新针尖，成功率高达99.9%。然后，通过电动定位旋钮自动优化激光点在X轴和Y轴上的位置。
我们创新的离子系统能够快速有效地消除样品环境中的静电荷。由于该系统始终产生并保持正负离子的理想平衡，因此可以创建极其稳定的电荷环境，周围区域的污染很少，在处理样品时意外静电的风险极低。
NX-Wafer还可以配置各种自动晶圆处理器（EFEM、FOUP或其他）。高精度、非破坏性的晶圆处理机器人臂完全确保用户始终获得快速且可靠的晶圆测量。
XY扫描器由对称的二维柔性结构和高力压电堆叠组成，提供高度正交的运动，平面外运动最小，并且具有纳米级精确样品扫描所需的高响应性。在XY扫描器的每个轴上都集成了两个对称的低噪声位置传感器，以保持最大扫描范围和样品尺寸的高扫描正交性。次级传感器校正和补偿由单个传感器引起的非线性和非平面位置误差。
NX-Wafer利用其超低噪声Z探测器，而不是通常使用的具有非线性特性的Z电压信号，为您提供前所未有的地形高度测量精度。这个行业领先的低噪声Z探测器取代了作为地形信号的应用Z电压。标准的Z扫描器由高力压电堆驱动，并由柔性结构导向，具有超过9 kHz的高共振频率（通常为10.5 kHz）和超过48 mm/sec的Z伺服速度，使反馈更加准确。最大Z扫描范围可以通过可选的长范围Z扫描器从15 μm扩展到30 μm。
NX-Wafer配备了自动化软件，使操作几乎毫不费力。只需选择所需的测量程序，即可通过优化悬臂调谐、扫描速率、增益和设定点参数设置，获得精确的多点分析。